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十二月 2 2021

HMC358MS8GETR中文文档PDF与电路图

库存: 15000
从Kynix购入该产品

描述

HMC358MS8GETR为砷化镓InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMICVCO。HMC358MS8GETR集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器。VCO的阶段超温噪声性能优异,由于振荡器的单片集成电路而产生的冲击和过程结构3V电源的典型功率输出为11dBm电源电压。压控振荡器是封装在一个低成本的表面安装8引脚MSOP中带有外露底座的封装,可提高射频和热性能。

产品概述

制造商ADI公司
制造商产品编号HMC358MS8GETR
供应商ADI公司
描述I2C MMIC VCO 带缓冲放大器 8MSOP
类别RF/IF,射频/中频和RFIDRF其它IC和模块
包装卷带(TR)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm宽)裸露焊盘
供应商器件封装8-MSOPG
基本产品编号HMC358

产品图片

HMC358MS8GETR

HMC358MS8GETR

规格参数

零件状态在售
功能VCO,缓冲放大器
频率5.8GHz~6.8GHz
射频类型超局域网,UNII
引脚数8
频率6.8吉赫
逻辑功能缓冲
供电电流
100mA
工作温度(Max)85℃
工作温度(Min)-40℃

环境与出口分类

属性描述
RoHS状态符合ROHS3规范
湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
REACH状态非REACH产品
无铅含铅

特点

  • 撅嘴:+11dBm

  • 相位噪声:-110dBc/Hz@100KHz

  • 不需要外部谐振器

  • 单电源:3V@100mA

  • 15mm2MSOP8GSMT封装

应用领域

  • UNII&Pt.到Pt.收音机

  • 802.11a和HiperLANWLAN

  • VSAT无线电

电路图

封装

HMC358MS8GETR封装

HMC358MS8GETR封装

替代型号

型号
制造商
品名
描述
HMC358MS8GE亚德诺RF模块、IC及配件压控振荡器,带缓冲器放大器,5.8-6.8GHZ

PDF资料

应用笔记

类型
标题
PDF
HMC358MS8GETR其他数据使用手册.pdf

产品制造商介绍

亚德诺半导体技术有限公司(英语:Analog Devices,NYSE:ADI)是一家财富500强美国的跨国半导体装置生产商。亚德诺半导体技术有限公司专为消费与工业产品制造ADC、DAC、MEMS与DSP芯片。其是将创新、业绩和卓越作为企业的文化支柱,并基此成长为该技术领域很持久高速增长的企业之一。拥有遍布世界各地的60,000客户,涵盖了全部类型的电子设备制造商。公司总部设在美国马萨诸塞州诺伍德市,设计和制造基地遍布全球。