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十二月 15 2021

TPS1100PWR数据表与中文资料PDF

库存: 13500
从Kynix购入该产品

描述

TPS1100PWR是单P沟道增强型MOSFET。该器件已通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺针对电池供电系统中的3V或5V配电进行了优化。凭借-1.5V的最大VGS(th)和仅为0.5uA的IDSS,TPS1100PWR是低压便携式电池管理系统的理想高边开关,其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。低rDS(on)和出色的交流特性(典型上升时间为10ns)使TPS1100PWR成为低压开关应用的合理选择,例如用于脉宽调制(PWM)控制器或电机/桥驱动器的电源开关。超薄薄型收缩小外形封装或TSSOP(PW)版本具有更小的占位面积和更低的高度,适用于其他P沟道MOSFET无法做到的地方。在电路板空间非常宝贵且高度限制不允许小外形集成电路(SOIC)封装的情况下,尺寸优势尤其重要。

产品概述

制造商德州仪器
制造商产品编号TPS1100PWR
供应商德州仪器
描述MOSFET P-CH 15V 1.27A 8TSSOP
详细描述表面贴装型 P 通道 15 V 1.27A(Ta) 504mW(Ta) 8-TSSOP
类别分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-单个
工作温度-40°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装8-TSSOP
封装/外壳8-TSSOP(0.173",4.40mm宽)
基本产品编号TPS1100

产品图片

TPS1100PWR

TPS1100PWR

规格参数

零件状态在售
FET类型P通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)15伏
25°C时电流-连续漏极(Id)1.27A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.7V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)180毫欧@1.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)1.5V@250µA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)5.45nC@10V
Vgs(最大值)+2V,-15V
功率耗散(最大值)504mW(Ta)
箱/包TSSOP
引脚数8
连续漏极电流(ID)1.27安
目前评级-1.27mA
漏源击穿电压-15伏
漏源电阻180毫欧
漏源电压(Vdss)15伏
栅源电压(Vgs)2伏
最高工作温度125℃
最大功耗504兆瓦
最低工作温度-40℃
元素数1
打包卷带
功耗504兆瓦
最大Rds180毫欧
上升时间10纳秒
关断延迟时间13纳秒
开启延迟时间4.5纳秒
额定电压(直流)-15伏
高度1.2毫米
长度3毫米
厚度1毫米
宽度4.4毫米

环境与出口分类

属性描述
RoHS状态符合ROHS3规范
湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
REACH状态非REACH产品
无铅无铅
辐射硬化

特点

  • 低rDS(on)VGS=-10V时为0.18典型值

  • 3V兼容

  • 不需要外部VCC

  • TTL和CMOS兼容输入

  • VGS(th)=-1.5V最大值

  • 提供超薄TSSOP封装(PW)

  • ESD保护高达2kV,符合MIL-STD-883C,方法3015

应用领域

  • 笔记本电脑

  • 个人数字助理(PDA)

  • 蜂窝电话

  • PCMCIA卡

引脚图

封装

TPS1100PWR封装

TPS1100PWR封装

替代型号

型号
制造商
品名
描述
TPS1100PW德州仪器MOS管TSSOP P-Channel -15V 1.27A
TPS1100PWG4德州仪器MOS管TSSOP P-Channel 15V 1.27A
TPS1100PWRG4德州仪器MOS管TSSOP P-Channel 15V 1.27A

PDF资料

产品制造商介绍

德州仪器(英语:Texas Instruments, TI)是一家位于美国德克萨斯州达拉斯的跨国公司,以开发、制造、销售半导体和计算器技术闻名于世,主要从事数字信号处理与模拟电路方面的研究、制造和销售。它在25个国家有制造、设计或者销售机构。德州仪器是世界第三大半导体制造商,仅次于英特尔,三星;是移动电话的第二大芯片供应商,仅次于高通;同时也是在世界范围内的第一大数字信号处理器(DSP)和模拟半导体组件的制造商,其产品还包括计算器、微控制器以及多核处理器。德州仪器居世界半导体公司20强。