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十二月 22 2021

芯片TPS1120DR技术参数PDF

库存: 20741
从Kynix购入该产品

描述

TPS1120DR集成了两个独立的p沟道增强型MOSFET,这些MOSFET通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺进行了优化,用于电池供电系统中的3V或5V配电。最大VGS(th)为-1.5V和IDSSTPS1120的电流仅为0.5uA,是低压便携式电池管理系统的理想高边开关,其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。由于便携式设备可能会受到静电放电(ESD)的影响,因此MOSFET具有用于2kVESD保护的内置电路。TPS1120DR的终端设备包括笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、移动电话、条形码扫描仪和PCMCIA卡。对于现有设计,此器件具有与小外形集成电路SOIC封装中的其他p沟道MOSFET共用的引脚排列。TPS1120DR的特点是工作结温范围TJ为-40°C至150°C。

产品概述

制造商德州仪器
制造商产品编号TPS1120DR
供应商德州仪器
描述MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
详细描述MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 15V 1.17A 840mW 表面贴装型 8-SOIC
类别分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-阵列
工作温度
-40°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
供应商器件封装8-SOIC
基本产品编号TPS1120

产品图片

TPS1120DR

TPS1120DR

规格参数

零件状态在售
FET类型2个P沟道(双)
FET功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)15V
25°C时电流-连续漏极(Id)1.17A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值)180毫欧@1.5A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值)5.45nC@10V
5.45nC@10V
840mW
箱/包集成电路
引脚数8
连续漏极电流(ID)1.17安
目前评级-1.17安
漏源击穿电压15伏
秋季时间秋季时间
栅源电压(Vgs)2伏
最高工作温度125℃
最大功耗840兆瓦
最低工作温度-40℃
元素数2
打包Digi-Reel®
功耗840兆瓦
最大Rds180毫欧
上升时间10纳秒
关断延迟时间13纳秒
开启延迟时间4.5纳秒
额定电压(直流)-15伏
高度1.75毫米
长度4.9毫米
厚度1.58毫米
宽度3.91毫米

环境与出口分类

属性描述
RoHS状态符合ROHS3规范
湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
REACH状态非REACH产品
无铅
无铅
辐射硬化

特点

  • 低rDS(on)0.18在VGS=-10V

  • 3V兼容

  • 不需要外部VCC

  • TTL和CMOS兼容输入

  • VGS(th)=-1.5V最大值

  • ESD保护高达2kV,符合MIL-STD-883C,方法3015

引脚图

封装

TPS1120DR封装

TPS1120DR封装

替代型号

型号
制造商
品名
描述
TPS1120D德州仪器MOS管双P沟道,1.17A,-15V,0.18ohm,-10V,-1.25V
TPS1120DG4德州仪器MOS管SOIC,P-Channel-15V,1.17A,180mohms
TPS1120DRG4德州仪器MOS管SOIC,P-Channel15V,1.17A

PDF资料

产品制造商介绍

德州仪器(TI)是一家美国技术公司,总部设在达拉斯,德克萨斯州,设计和制造半导体及各种集成电路,它出售给电子产品设计者和全球制造商。按销售额计算,它是全球前10名的半导体公司之一。公司的重点是开发模拟芯片和嵌入式处理器,它们占其收入的80%以上。TI也生产TI数字光处理技术和教育技术产品包括计算器、微控制器和多核处理器。截至2016年,公司在全球拥有45000项专利。在股市中,德州仪器通常被视为半导体和电子行业整体的指标,截至2018年,TI在财富500强美国最大公司名单中按收入排名第192位。